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碳化硅管的成型工艺,碳化硅MOS的优势

  2019/12/11 17:56:30

  碳化硅MOS的优势

  硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制,高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围,同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的情况具有更低的开关损耗和更高的工作频率。

  20kHzDETANHUAGUIMOSFETMOKUAIDESUNHAOKEYIBI3kHzDEGUIIGBTMOKUAIDIYIBAN, 50ADETANHUAGUIMOKUAIJIUKEYITIHUAN150ADEGUIMOKUAI。XIANSHILETANHUAGUIMOSFETZAIGONGZUOPINLVHEXIAOLVSHANGDEJUDAYOUSHI。

  TANHUAGUIMOSFETJISHENGTIERJIGUANJUYOUJIXIAODEFANXIANGHUIFUSHIJIANtrrHEFANXIANGHUIFUDIANHEQrr。RUTUSUOSHI,TONGYIEDINGDIANLIU900VDEQIJIAN,TANHUAGUIMOSFET JISHENGERJIGUANFANXIANGDIANHEZHIYOUTONGDENGDIANYAGUIGEGUIJIMOSFETDE5%。

     碳化硅管的成型工艺对于桥式电路来说(特别当LLC变换器工作在高于谐振频率的时候),这个指标非常关键,它可以减小死区时间以及体二极管的反向恢复带来的损耗和噪音,便于提高开关工作频率。

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